BD438G和BD438STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD438G BD438STU BD438

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD438G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 3 MHz, 36 W, -4 A, 3 hFEPower PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。MULTICOMP  BD438  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 36 W 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45.0 V

最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 30 @10mA, 5V 40

直流电流增益(hFE) 3 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -65 ℃

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -4.00 A -4.00 A -

额定功率 - 36 W -

增益频宽积 - 3 MHz -

集电极最大允许电流 4A 4A -

额定功率(Max) 36 W 36 W -

耗散功率(Max) 36000 mW 36 W -

无卤素状态 Halogen Free - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

长度 - 8 mm -

宽度 - 3.25 mm -

高度 - 11 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

含铅标准 Lead Free Lead Free -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bulk Tube -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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