IPD031N03LGATMA1和IPD03N03LA G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD031N03LGATMA1 IPD03N03LA G IRLR8743PBF

描述 DPAK N-CH 30V 90ATrans MOSFET N-CH 25V 90A 3Pin(2+Tab) TO-252INFINEON  IRLR8743PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 30 V, 3.1 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 90.0 A -

耗散功率 94 W 115W (Tc) 135 W

输入电容 - 5.20 nF 4880pF @15V

栅电荷 - 41.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 90A 90.0 A 160A

输入电容(Ciss) 5300pF @15V(Vds) 5200pF @15V(Vds) 4880pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 94 W 71 W -

耗散功率(Max) 94W (Tc) 115W (Tc) 135W (Tc)

额定功率 94 W - 135 W

漏源极电阻 0.0026 Ω - 0.0031 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 1 V - 1.9 V

上升时间 6 ns - 35 ns

下降时间 5 ns - 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源击穿电压 - - 30 V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台