JAN1N935B-1和RH935B

对比图

型号 JAN1N935B-1 RH935B 1N935B-1

描述 DO-35 9V 0.5W(1/2W)DO-7 9V 0.5W(1/2W)DO-7 9V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-7 DO-7

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 7.5 mA 7.5 mA -

稳压值 9 V 9 V 9 V

容差 ±5 % - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-35 DO-7 DO-7

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -