SPD50P03L和SPD50P03LG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD50P03L SPD50P03LG

描述 的OptiMOS - P电源 - 晶体管 OptiMOS-P Power - Transistor30V,-50A,P沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5

封装 TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -50.0 A

极性 P-CH P-Channel

输入电容 4.56 nF 6.88 nF

栅电荷 178 nC 126 nC

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A

通道数 1 -

阈值电压 2 V -

上升时间 21.7 ns -

输入电容(Ciss) 4590pF @25V(Vds) -

下降时间 104 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW -

封装 TO-252-3 TO-252

宽度 6.22 mm -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司