FQD1N60CTF和FQD1N60CTM

对比图

型号 FQD1N60CTF FQD1N60CTM

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD1N60CTM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V

额定电流 1.00 A 1.00 A

漏源极电阻 11.5 Ω 9.3 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 28W (Tc) 28 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.00 A

输入电容(Ciss) 170pF @25V(Vds) 170pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

针脚数 - 3

阈值电压 - 2 V

上升时间 - 21 ns

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 27 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.1 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99