CY62137FV30LL-45BVI和CY62137FV30LL-45BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62137FV30LL-45BVI CY62137FV30LL-45BVXI IS62WV12816BLL-55BLI

描述 取消当2兆位( 128千×16 )静态RAM自动断电 2-Mbit (128 K x 16) Static RAM Automatic power down when deselected异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM, 2 Mbit, 128K x 16位, 2.5V 至 3.6V, Mini BGA, 48 引脚, 55 ns

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

供电电流 18 mA 18 mA 3 mA

针脚数 - 48 48

时钟频率 - 1 MHz -

位数 - 16 16

存取时间 45 ns 45 ns 55 ns

内存容量 - 250000 B 2000000 B

存取时间(Max) 45 ns 45 ns 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 2.2 V 2.5 V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

长度 - 8 mm -

宽度 - 6 mm -

高度 - 0.21 mm -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.2.a EAR99

香港进出口证 - NLR -

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