对比图
型号 FQD6N25 FQD6N25TM
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类
安装方式 Surface Mount -
引脚数 3 3
封装 DPAK TO-252-3
极性 N-CH -
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A -
耗散功率 - 2.5 W
上升时间 - 65 ns
输入电容(Ciss) - 230pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 30 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
漏源极电阻 - -
漏源击穿电压 - -
栅源击穿电压 - -
封装 DPAK TO-252-3
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - -