IRGP4650DPBF和STGW40NC60WD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGP4650DPBF STGW40NC60WD HGTG40N60B3

描述 INFINEON  IRGP4650DPBF  单晶体管, IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGW40NC60WD  单晶体管, IGBT, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG40N60B3  单晶体管, IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 40.0 A 70.0 A

针脚数 3 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 268 W 250 W 290 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 268 W 250 W 290 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 268 W 250000 mW 290000 mW

输入电容 - 2.90 nF -

栅电荷 - 126 nC -

漏源极电压(Vds) - 650 V -

连续漏极电流(Ids) - 40.0 A -

上升时间 - 12.0 ns -

反向恢复时间 120 ns 45 ns -

额定功率 268 W - -

长度 15.87 mm 15.75 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.15 mm 4.82 mm

高度 20.7 mm 20.15 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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