PUMH2,115和RN1964

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PUMH2,115 RN1964 BCR148S

描述 NXP PUMH2,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装RN1964 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记XXD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363-6 US-6 SOT-363

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - -

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA 100mA

耗散功率 0.3 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 300 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

封装 SOT-363-6 US-6 SOT-363

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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