IRFI1010NPBF和STP55NF06FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFI1010NPBF STP55NF06FP STP75NF75FP

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3Pin(3+Tab) TO-220FP TubeSTMICROELECTRONICS  STP55NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 VN沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.018 Ω 0.0095 Ω

耗散功率 58 W 30 W 45 W

阈值电压 - 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 75 V

上升时间 66.0 ns 50 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 58 W 30 W 45 W

下降时间 - 15 ns 30 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 30000 mW 45W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 49.0 A 50.0 A -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 55.0 V 60 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 49.0 A 50.0 A -

产品系列 IRFI1010N - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.3 mm 9.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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