BSP62,115和PZTA64

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP62,115 PZTA64 BSP62E6327HTSA1

描述 Nexperia BSP62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。SOT-223 PNP 80V 1A

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223-4

引脚数 4 4 -

极性 - - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 30 V 80 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 20000 @100mA, 5V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1.25 W 1 W 1.5 W

耗散功率(Max) 1250 mW 1000 mW 1.5 W

针脚数 3 - -

耗散功率 1.25 W 1 W -

最大电流放大倍数(hFE) 1000 - -

直流电流增益(hFE) 2000 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 200 MHz 125MHz (Min) -

频率 - 125 MHz -

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -1.20 A -

额定功率 - 1 W -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223-4

长度 6.7 mm 6.5 mm -

宽度 3.7 mm 3.56 mm -

高度 1.7 mm 1.7 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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