对比图


型号 AON6414A AP1203GMA
描述 QFN N-CH 30V 50AN-channel Enhancement Mode Power Mosfet
数据手册 --
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Advanced Power Electronics (富鼎先进电子)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 -
封装 DFN-8 -
极性 N-CH -
耗散功率 31 W -
漏源极电压(Vds) 30 V -
连续漏极电流(Ids) 50A -
上升时间 2 ns -
输入电容(Ciss) 1380pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 31 W -
下降时间 3.5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 31W (Tc) -
封装 DFN-8 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free -
香港进出口证 NLR -