AON6414A和AP1203GMA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AON6414A AP1203GMA

描述 QFN N-CH 30V 50AN-channel Enhancement Mode Power Mosfet

数据手册 --

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Advanced Power Electronics (富鼎先进电子)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 -

封装 DFN-8 -

极性 N-CH -

耗散功率 31 W -

漏源极电压(Vds) 30 V -

连续漏极电流(Ids) 50A -

上升时间 2 ns -

输入电容(Ciss) 1380pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 31 W -

下降时间 3.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 31W (Tc) -

封装 DFN-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

香港进出口证 NLR -

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