对比图
型号 1N4732A,113 BZX85C4V7-TAP 1N4732A,133
描述 DO-41 4.7V 1W1.3W，BZX85 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 ### 齐纳二极管，Vishay SemiconductorDO-41 4.7V 1W
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 DO-41 DO-41 DO-41
容差 ±5 % ±5 % ±5 %
正向电压 1.2V @200mA - 1.2V @200mA
耗散功率 1 W 1.3 W 1000 mW
测试电流 53 mA 45 mA 53 mA
稳压值 4.7 V 4.7 V 4.7 V
正向电压(Max) 1.2V @200mA - 1.2V @200mA
额定功率(Max) 1 W 1.3 W 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
额定功率 - 1.3 W -
击穿电压 - 4.70 V -
耗散功率(Max) - 1300 mW -
宽度 - 2.6 mm 2.6 mm
封装 DO-41 DO-41 DO-41
长度 - 4.1 mm -
高度 - 2.6 mm -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Box (TB)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -
ECCN代码 - EAR99 -