CY7C25702KV18-500BZC和CY7C25702KV18-500BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C25702KV18-500BZC CY7C25702KV18-500BZXC

描述 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODTCY7C25702 72 Mb (2M x 36) 0.45ns 1.8 V 单端口 同步 SRAM - FBGA-165

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - 500 MHz

位数 - 36

存取时间(Max) - 0.45 ns

高度 0.89 mm -

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a

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