IXSX40N60BD1和IXSX50N60BD1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXSX40N60BD1 IXSX50N60BD1 IRG4PSC71KDPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) PLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) PLUS 247INFINEON  IRG4PSC71KDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 2.3 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 Super-247-3

引脚数 - - 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 35 ns 35 ns 82 ns

额定功率(Max) 280 W 300 W 350 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 350 W

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 350 W

上升时间 - - 107 ns

耗散功率(Max) - - 350 W

长度 16.13 mm 16.13 mm 16.1 mm

宽度 5.21 mm 5.21 mm 5.3 mm

高度 21.34 mm 21.34 mm 20.8 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 Super-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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