对比图
型号 IXFB44N100P IXFB44N100Q3 IXFK40N90P
描述 通孔 N 通道 1000V 44A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264™N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-264 N-CH 900V 40A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
通道数 1 - -
耗散功率 1250 W 1560 W 960W (Tc)
阈值电压 6.5 V - -
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 900 V
上升时间 68 ns 30 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 19000pF @25V(Vds) 13600pF @25V(Vds) 14000pF @25V(Vds)
下降时间 56 ns 28 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1560W (Tc) 960W (Tc)
极性 - - N-CH
连续漏极电流(Ids) - - 40A
额定功率(Max) - - 960 W
宽度 5.31 mm 5.31 mm -
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
长度 - 20.29 mm -
高度 - 26.59 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free