对比图
型号 STN2NE10 STN4NF06L STE70NM50
描述 N - CHANNEL 100V - 0.33欧姆 - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET60V,4A,N沟道MOSFETSTMICROELECTRONICS STE70NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 ISOTOP-4
针脚数 - 3 4
漏源极电阻 400 mΩ 0.07 Ω 45 mΩ
耗散功率 2.5W (Tc) 3.3 W 600 W
阈值电压 - 2.8 V 4 V
输入电容 - 340 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 500 V
上升时间 17 ns 25 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 305pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.3 W 600 W
下降时间 7 ns 10 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 3.3W (Tc) 600W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - 500 V
额定电流 2.00 A - 70.0 A
极性 N-Channel - N-Channel
漏源击穿电压 100 V - 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A - 30.0 A
额定功率 - - 600 W
封装 TO-261-4 TO-261-4 ISOTOP-4
长度 - - 38.2 mm
宽度 - - 25.5 mm
高度 - - 9.1 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99