对比图
型号 IXFK64N60P IXFK64N60P3 IXFB70N60Q2
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N60P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.096 Ω 0.1 Ω 80 mΩ
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 1.04 kW 1.13 kW 890 W
阈值电压 5 V 5 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 64.0 A 64A -
上升时间 23 ns 17 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 9900pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1130 W -
下降时间 24 ns 11 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1130W (Tc) 890W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 64.0 A - -
输入电容 1.15 nF - -
栅电荷 200 nC - -
漏源击穿电压 600 V - 600 V
通道数 - - 1
长度 - 19.96 mm 20.29 mm
宽度 - 5.13 mm 5.31 mm
高度 - 26.16 mm 26.59 mm
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -