MMBZ18VALT1G和SZMMBZ18VALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ18VALT1G SZMMBZ18VALT1G MMBZ18VAL

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBZ18VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚TVS二极管, SZMMBZxxxALT1G Series, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚NXP  MMBZ18VAL  静电保护装置, TVS, 25 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 TVS二极管齐纳二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

额定电压(DC) 18.0 V - -

额定功率 40.0 W - -

击穿电压 17.1 V 18 V -

通道数 2 - -

针脚数 3 3 3

正向电压 0.9 V - -

耗散功率 0.3 W 40 W 360 mW

钳位电压 25 V 25 V 25 V

测试电流 1 mA 1 mA -

最大反向击穿电压 18.9 V 18.9 V -

脉冲峰值功率 40 W 40 W -

最小反向击穿电压 17.1 V 17.1 V -

击穿电压 17.1 V 17.1 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

工作电压 - 14.5 V 900 mV

长度 3.04 mm 2.9 mm -

宽度 1.40 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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