IXFV96N20P和IXTV102N20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV96N20P IXTV102N20T IXTQ102N20T

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 200V 102A 3Pin(3+Tab) PLUS 220TO-3P N-CH 200V 102A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3

引脚数 3 - -

耗散功率 600W (Tc) 750W (Tc) 750W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 600W (Tc) 750W (Tc) 750W (Tc)

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 102A

上升时间 30 ns - -

下降时间 30 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete End of Life

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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