SI1900DL-T1-E3和SI1972DH-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1900DL-T1-E3 SI1972DH-T1-E3 FDG6301N

描述 TRANSISTOR 590mA, 30V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6Pin, FET General Purpose Small SignalMOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6301N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

漏源极电阻 0.7 Ω - 4 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel - N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 0.27 W - 300 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

漏源击穿电压 30 V - 25.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - 8.00 V

连续漏极电流(Ids) 630 mA - 220 mA

热阻 400℃/W (RθJA) - -

额定功率(Max) 270 mW 1.25 W 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

输入电容(Ciss) - 75pF @15V(Vds) 9.5pF @10V(Vds)

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 220 mA

针脚数 - - 6

阈值电压 - - 850 mV

输入电容 - - 9.50 pF

栅电荷 - - 290 pC

上升时间 - - 4.5 ns

下降时间 - - 3.2 ns

耗散功率(Max) - - 0.3 W

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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