A43L2616BV-7F和K4S641632D-TC1H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 A43L2616BV-7F K4S641632D-TC1H IS42S16400J-7TLI

描述 AMIC  A43L2616BV-7F  芯片, 存储器, SDRAM, 64M, 54TSOPDRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-IIRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 AMIC Technology (联笙电子) Samsung (三星) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 54 - 54

封装 TSOP TSOP TSOP-54

供电电流 - - 90 mA

针脚数 54 - 54

位数 16 - 16

存取时间 6 ns - 7 ns

存取时间(Max) 6 ns - 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 - 3.3 V 3V ~ 3.6V

频率 143 MHz - -

内存容量 8000000 B - -

长度 22.22 mm - 22.42 mm

宽度 10.16 mm - 10.29 mm

高度 1 mm - 1.05 mm

封装 TSOP TSOP TSOP-54

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Each - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

ECCN代码 - - EAR99

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