MPS8599和MPS8599TRE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS8599 MPS8599TRE MPS8599G

描述 放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP TransistorsTO-92 PNP 80V 0.5A放大器晶体管电压和电流是负的PNP晶体管 Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-92 TO-92-3

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -500 mA - -500 mA

极性 - PNP PNP

耗散功率 - - 625 mW

增益频宽积 - - 150 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V - 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW - 625 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-92 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司