对比图
型号 IS45S32200E-7TLA2 IS45S32200L-7TLA2 IS42S32200E-7TL
描述 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-IIDRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-II动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 86 86 86
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
供电电流 140 mA 90 mA 140 mA
工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
位数 32 32 -
存取时间 - 5.4 ns -
存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.4ns -
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 3 V -
长度 - - 22.42 mm
宽度 - - 10.29 mm
高度 - - 1.05 mm
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
工作温度 -40℃ ~ 105℃ (TA) -40℃ ~ 105℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Design
包装方式 Tray Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅