对比图
型号 CY7C1512KV18-300BZC IS61QDB24M18A-300M3L IS61QDB24M18-300M3L
描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accessesQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin LFBGA
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA
时钟频率 300 MHz - -
位数 18 18 18
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V -
供电电流 - 750 mA -
存取时间 - 1.48 ns -
高度 0.89 mm - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 -
ECCN代码 3A991.b.2.a - -