CY7C1512KV18-300BZC和IS61QDB24M18A-300M3L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1512KV18-300BZC IS61QDB24M18A-300M3L IS61QDB24M18-300M3L

描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accessesQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin LFBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

时钟频率 300 MHz - -

位数 18 18 18

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V -

供电电流 - 750 mA -

存取时间 - 1.48 ns -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 -

ECCN代码 3A991.b.2.a - -

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