MUN2213T1G和MUN2214T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2213T1G MUN2214T1 PDTC144ET

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN2213T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-59MUN2214T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k 增益80-140 SOT-23/SC-59 marking/标记 8D ESD保护NPN 晶体管,NXP### 数字晶体管,NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 338 mW - 250 mW

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.338 W 230 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

额定功率(Max) 338 mW 338 mW -

长度 2.9 mm 2.9 mm 3 mm

宽度 1.5 mm 1.5 mm 1.4 mm

高度 1.09 mm 1.09 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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