对比图
型号 IXTH200N10T IXTV200N10TS IXTV200N10T
描述 N沟道 100V 200APLUS220 N-CH 100V 200ATrans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-247-3
引脚数 3 - -
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 5.5 mΩ
耗散功率 550W (Tc) 550W (Tc) 550 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
上升时间 31 ns - 31 ns
输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 550 W - 550 W
下降时间 34 ns - 34 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 550W (Tc) 550W (Tc) 550W (Tc)
极性 - N-CH -
连续漏极电流(Ids) - 200A -
长度 - - 11 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 15 mm
封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free