LCMXO640E-3MN100I和LCMXO640E-3TN144I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LCMXO640E-3MN100I LCMXO640E-3TN144I LCMXO640E-4MN100C

描述 Flash PLD, 4.9ns, CMOS, PBGA100, 8 X 8MM, ROHS COMPLIANT, CSBGA-100Flash PLD, 4.9ns, CMOS, PQFP144, 20 X 20MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-144Flash PLD, 4.2ns, CMOS, PBGA100, 8 X 8MM, ROHS COMPLIANT, CSBGA-100

数据手册 ---

制造商 Lattice Semiconductor (莱迪思) Lattice Semiconductor (莱迪思) Lattice Semiconductor (莱迪思)

分类 CPLD芯片CPLD芯片CPLD芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 144 100

封装 CSBGA-100 TQFP-144 CSBGA-100

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.14V ~ 1.26V 1.14V ~ 1.26V 1.14V ~ 1.26V

RAM大小 0 b - -

电源电压(Max) 1.26 V 1.26 V -

电源电压(Min) 1.14 V 1.14 V -

封装 CSBGA-100 TQFP-144 CSBGA-100

长度 8 mm 20 mm -

宽度 8 mm 20 mm -

高度 1.1 mm 1.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 100℃ (TJ) -40℃ ~ 100℃ (TJ) 0℃ ~ 85℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台