FQB11N40C和IRFW740BTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB11N40C IRFW740BTM FQB11N40CTM

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道 400V 10AFQB11N40C 系列 400 V 0.5 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

引脚数 - - 3

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 10.5A 10.0 A -

耗散功率 - 3.13 W 135 W

上升时间 - - 89 ns

输入电容(Ciss) - - 840pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 135 W

下降时间 - - 81 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 135000 mW

漏源极电阻 - 540 mΩ -

漏源击穿电压 - 400 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99 -

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