对比图
描述 MOSFET N-CH 40V 120A TO-262I2PAK N-CH 55V 110A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-262-3 TO-262-3
耗散功率 200W (Tc) 203W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 55 V
上升时间 - 123 ns
输入电容(Ciss) 4340pF @25V(Vds) 5280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 203 W
下降时间 - 86 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 203W (Tc)
极性 - N-CH
阈值电压 - 2.3 V
连续漏极电流(Ids) - 110A
封装 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅