IXFQ22N60P3和IXFT23N60Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFQ22N60P3 IXFT23N60Q IXTQ22N60P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3Pin(2+Tab) TO-268N沟道 600V 22A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-3-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 360 mΩ - 350 mΩ

极性 N-CH - -

耗散功率 500 W 400W (Tc) 400 W

阈值电压 5 V - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 22A - 22.0 A

上升时间 17 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

下降时间 19 ns - 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 22.0 A

输入电容 - - 3.60 nF

栅电荷 - - 62.0 nC

长度 15.8 mm - 15.8 mm

宽度 4.9 mm - 4.9 mm

高度 20.3 mm - 20.3 mm

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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