对比图
型号 H5020 IRFH5020TRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8INFINEON IRFH5020TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 200 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V 新
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 8
封装 - PQFN-8
额定功率 - 3.6 W
通道数 - 1
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.047 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 3.6 W
阈值电压 - 5 V
漏源极电压(Vds) - 200 V
连续漏极电流(Ids) - 5.1A
上升时间 - 7.7 ns
输入电容(Ciss) - 2290pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 3.6 W
下降时间 - 6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.6W (Ta)
宽度 - 5 mm
封装 - PQFN-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17