IS62WV10248BLL-55BI和IS62WV10248BLL-55BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV10248BLL-55BI IS62WV10248BLL-55BLI AS6C8008-55BIN

描述 静态随机存取存储器 8Mb 1Mbx8 55ns Async 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 1M x 8 55ns 48Pin Mini-BGAAS6C8008 系列 8 Mb (1024 K x 8) 3 V 55 ns CMOS 静态 RAM - TFBGA-48

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 TFBGA-48 BGA-36 TFBGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

位数 8 8 -

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

内存容量 8000000 B 8000000 B -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.7V ~ 5.5V

供电电流 - 35 mA -

工作电压 - - 2.7V ~ 5.7V

封装 TFBGA-48 BGA-36 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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