BCR129和MUN2237T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR129 MUN2237T1G BCR141W

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORBCR141W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 22k 22k SOT-323/SC-70 marking/标记 WD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-363-6 SOT-23-3 SOT-323

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.338 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 50

额定功率(Max) - 338 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 338 mW -

额定功率 - - 0.25 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 50

封装 SOT-363-6 SOT-23-3 SOT-323

长度 - - 2.00 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 - - 0.90 mm

产品生命周期 End of Life Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

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