FQP3N50C和IRF820B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP3N50C IRF820B

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-220 TO-220-3

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 4.7 mm

高度 - 16.3 mm

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

漏源极电阻 2.10 Ω 210 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 62.0 W 49 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.50 A

上升时间 - 30 ns

下降时间 - 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

漏源击穿电压 500 V -

ECCN代码 EAR99 EAR99

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