IRFB4019PBF和IRFB4020PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4019PBF IRFB4020PBF IRFZ14PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFB4019PBF  场效应管, MOSFET, N沟道 数字音频 150V, 17A, TO-220ABINFINEON  IRFB4020PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 4.9 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 10.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.08 Ω 0.1 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 80 W 100 W 43 W

阈值电压 4.9 V 4.9 V 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 200 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 18A 10.0 A

上升时间 - 12 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 800pF @50V(Vds) 1200pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 80 W 100 W 43 W

下降时间 - 6.3 ns 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 100W (Tc) 43 W

通道数 1 - -

产品系列 IRFB4019 - -

额定功率 - 100 W -

输入电容 - 1200 pF -

长度 - 10.66 mm 10.41 mm

宽度 - 4.82 mm 4.7 mm

高度 - 9.02 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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