对比图
型号 TLC2252AQDRQ1 TLV2252AQDRG4Q1 TLC2252AQDRG4Q1
描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗运算放大器 advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA
供电电流 80 µA 70 µA 80 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 724 mW 725 mW 950 mW
共模抑制比 70 dB 70dB ~ 83dB 70 dB
输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K
带宽 200 kHz 187 kHz 200 kHz
转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs
增益频宽积 0.2 MHz 200 kHz 0.2 MHz
输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃
增益带宽 210 kHz 0.2 MHz 0.2 MHz
耗散功率(Max) 724 mW 725 mW 950 mW
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压(Max) 16 V 16 V -
电源电压(Min) 4.4 V 2.7 V -
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm
高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free