IS43DR16320C-3DBI和IS43DR16320C-3DBLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16320C-3DBI IS43DR16320C-3DBLI IS43DR16320C-3DBL

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84Pin TW-BGA动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 BGA-84 BGA-84 BGA-84

供电电流 250 mA 250 mA 250 mA

时钟频率 - - 333 MHz

位数 16 16 16

存取时间 450 ps 3 ns 450 ps

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V

封装 BGA-84 BGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台