AD711KRZ和LF351D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD711KRZ LF351D AD711KR

描述 ANALOG DEVICES  AD711KRZ.  芯片, 运算放大器, 4MHz, 20V/?SLF347、LF351、LF353、JFET 输入、低输入偏置和偏置电流运算放大器LF347、LF351 和 LF353 是高速 JFET 输入运算放大器,包含匹配的、高电压 JFET 和双极晶体管。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。### 运算放大器,STMicroelectronics精密,低成本,高速, BiFET运算放大器 Precision, Low Cost, High Speed, BiFET Op Amp

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ST Microelectronics (意法半导体) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.5 mA 1.4 mA 2.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 500 mW - 0.5 W

共模抑制比 76 dB 70 dB 76 dB

输入电容 5.50 pF - 5.50 pF

转换速率 20.0 V/μs 16.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 4 MHz 4.00 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ - 3.00 TΩ

输入补偿电压 200 µV 3 mV 200 µV

输入偏置电流 15 pA 20 pA 15 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

3dB带宽 4 MHz - 4 MHz

增益带宽 - 4 MHz 76 dB

针脚数 8 8 -

带宽 4 MHz 4 MHz -

耗散功率(Max) 500 mW - -

共模抑制比(Min) 76 dB 70 dB -

电源电压(Max) 18 V 32 V -

电源电压(DC) - 36.0 V -

电源电压 - 6V ~ 32V -

电源电压(Min) - 6 V -

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

军工级 No - No

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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