ATF-531P8-BLK和ATF-531P8-TR1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATF-531P8-BLK ATF-531P8-TR1G ATF-531P8-TR1

描述 Trans JFET 7V 300mA 8Pin LPCC BagRF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET, MO-229, 2 X 2 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, LPCC-8Trans JFET 7V 300mA pHEMT 8Pin LPCC T/R

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通) Broadcom (博通)

分类 晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 8 - 8

封装 LPCC-8 - WFDFN-8

额定电流 135 A - 300 mA

耗散功率 1 W - 1000 mW

漏源极电压(Vds) 4.00 V - -

漏源击穿电压 7 V - -

栅源击穿电压 ±5 V - -

连续漏极电流(Ids) 300 mA - -

增益 20 dB - 20 dB

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

频率 - - 2 GHz

输出功率 - - 24.5 dBm

测试电流 - - 135 mA

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

额定电压 - - 7 V

封装 LPCC-8 - WFDFN-8

高度 - - 0.73 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台