对比图
型号 IRFR15N20DPBF STD17NF25 STD20NF20
描述 N沟道 200V 17ASTMICROELECTRONICS STD17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 17.0 A - 18.0 A
漏源极电阻 0.165 mΩ 0.14 Ω 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 90 W 90 W
产品系列 IRFR15N20D - -
阈值电压 5.5 V 3 V 3 V
输入电容 910pF @25V - 940 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 250 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 8.50 A 18.0 A
上升时间 32.0 ns 17.2 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 910pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 90 W 90 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 3
下降时间 - 8.8 ns 10 ns
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 - - 110 W
栅电荷 - - 28.0 nC
漏源击穿电压 - - 200 V
正向电压(Max) - - 1.6 V
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
高度 2.26 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99