INA333AIDRGR和MCP6N11T-001E/MNY

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 INA333AIDRGR MCP6N11T-001E/MNY INA333AIDRGT

描述 微功耗( 50uA的) , Zer┆漂移,轨到轨输出仪表放大器 Micro-Power (50uA), Zer┆-Drift, Rail-to-Rail Out Instrumentation AmplifierMCP6N11 系列 5.5 V 500 kHz 轨对轨 仪表 放大器 - TDFN-8TEXAS INSTRUMENTS  INA333AIDRGT  芯片, 仪器放大器, 150KHZ, 110DB, SON-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器仪表放大器仪表放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 WSON-8 TDFN-8 SON-8

供电电流 50 µA 800 µA 50 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 - - 8

共模抑制比 80 dB 94 dB 110 dB

静态电流 50.0 µA 1.1 mA 50.0 µA

带宽 - 500 kHz 150 kHz

转换速率 - 9.00 V/μs 160 mV/μs

增益频宽积 - 500 kHz 150 kHz

输入补偿电压 10 µV 3 mV 10 µV

输入偏置电流 70 pA 10 pA 70 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 150 kHz - 150 kHz

共模抑制比(Min) 80 dB 70 dB 80 dB

电源电压 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5V ~ 7V 5V ~ 7V 5V ~ 7V

增益带宽 150 kHz 62 dB -

电源电压(Min) 1.8 V - -

工作电压 - 1.8V ~ 5.5V -

输出电流 - ≤30 mA -

输入补偿漂移 - 2.70 µV/K -

长度 - 3 mm 3.1 mm

宽度 - 2 mm 3.1 mm

高度 - 0.75 mm 0.75 mm

封装 WSON-8 TDFN-8 SON-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

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