71V3556SA166BGGI和71V3556SA166BGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V3556SA166BGGI 71V3556SA166BGI

描述 静态随机存取存储器 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBTZBT SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22MM, PLASTIC, BGA-119

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 119 119

封装 PBGA-119 PBGA-119

安装方式 - Surface Mount

存取时间 3.5 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

长度 14 mm 14.0 mm

宽度 22 mm 22.0 mm

高度 2.15 mm -

封装 PBGA-119 PBGA-119

厚度 2.15 mm 2.15 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube, Rail Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

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