FQD5P20TM和IRFR9220TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5P20TM IRFR9220TRPBF IRFR9220PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5P20TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -200 V - -200 V

额定电流 -3.70 A - -3.60 A

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.1 Ω 1.5 Ω 1.5 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 45 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V - -200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A -3.60 A -3.60 A

上升时间 70 ns 27 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 430pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 25 ns 19 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 42 W 2.5 W

额定功率 - - 42 W

阈值电压 - - 4 V

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.38 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - 2000 2000

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司