对比图
型号 DTC124EE DTC124EET1
描述 数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 22 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
封装 SC-75-3 SC-75-3
额定电压(DC) - 50.0 V
额定电流 - 100 mA
极性 NPN NPN
耗散功率 - 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 0.1A 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 60 60
最大电流放大倍数(hFE) - 60
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
长度 - 1.6 mm
宽度 - 0.8 mm
高度 - 0.75 mm
封装 SC-75-3 SC-75-3
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 - Tape
最小包装 3000 -
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead