对比图
型号 IRF5NJZ48 IRF5NJZ48PBF IRFNJZ48
描述 SMD-0.5 N-CH 55V 22ASMD-0.5 N-CH 55V 22APower Field-Effect Transistor, 22A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA, HERMETIC SEALED, SMD05, 3 PIN
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 SMD-0 SMD-0 -
引脚数 3 - -
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -
连续漏极电流(Ids) 22A 22A -
上升时间 141 ns - -
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) - -
下降时间 98 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 75000 mW - -
封装 SMD-0 SMD-0 -
产品生命周期 Active Active Active
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -