IRFR4104TRR和IRFR4104TRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4104TRR IRFR4104TRRPBF

描述 DPAK N-CH 40V 119ADPAK N-CH 40V 119A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 140W (Tc) 140W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 119A 119A

上升时间 - 69 ns

输入电容(Ciss) 2950pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds)

下降时间 - 36 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 无铅

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