对比图
型号 BLY91C MS1337 MRF314
描述 RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPNTrans RF BJT NPN 18V 8A 4Pin Style M113RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) TE Connectivity (泰科)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Chassis -
引脚数 - 4 -
封装 - M113 211-07
耗散功率 - 70000 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 70000 mW -
高度 - 7.11 mm -
封装 - M113 211-07
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -