BFG540W/XR和BFG520W,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFG540W/XR BFG520W,115 BFG540,215

描述 NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistorTrans RF BJT NPN 15V 0.07A 0.5W(1/2W) 4Pin SO T/R射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 SOT-343 SOT-343 TO-253-4

频率 - 9000 MHz 9000 MHz

耗散功率 - 0.5 W 400 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @20mA, 6V 60 @40mA, 8V

额定功率(Max) - 500 mW 400 mW

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 400 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 60

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-343 SOT-343 TO-253-4

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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