BU4909FVE和BU4909FVE-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU4909FVE BU4909FVE-TR

描述 低电压检测器IC Low Voltage Detector IC低电压标准CMOS电压检测器IC系列 Low Voltage Standard CMOS Voltage Detector IC Series

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 电源监控芯片电压监控芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 5

封装 VSOF SOT-665

耗散功率 - 210 mW

阈值电压 - 0.9 V

复位电压(Min) - 0.891 V

复位电压(Max) - 0.909 V

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃

耗散功率(Max) - 210 mW

精度 - 1 %

电源电压(Max) - 7 V

电源电压(Min) - 0.7 V

封装 VSOF SOT-665

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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